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院士专家报告风采-郝跃院士
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郝跃院士作报告


郝跃院士以“第三代半导体电子器件研究与展望”为题作主题报告。报告从半导体材料的划代,介绍了以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导在技术上取得的重大突破,特别是宽禁带高功率半导体器件技术;通信、交通、雷达、卫星等都促进了第三代半导体快速发展,为其提供了非常广阔的应用场景。报告认为,下一步要更加关注超宽禁带半导体的研究和发展,加强基础性创新,为产业发展提供持续技术支撑。


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